TSMC comienza la fase de investigación y desarrollo de su proceso de fabricación de 2nm

TSMC anunció que comenzó la etapa de Investigación y Desarrollo (I+D) de su proceso de fabricación de 2nm, centrándose de momento en el diseño de soportes de prueba, la fabricación de fotomáscaras y una producción piloto de silicios.

Además, la fundición taiwanesa invertirá 100.000 millones de dólares durante los próximos tres años, con la mayor parte de dicha inversión destinada al desarrollo de nuevos procesos de fabricación, como el de 2nm. También se construirá una fábrica exclusiva donde se llevará a cabo la producción en masa de esta litografía.

Según la compañía, el nodo de 2nm será el primero en abandonar la estructura de transistores FinFET para pasar a la estructura de puerta envolvente GAA, la cual debutará con el proceso de fabricación de 3nm de Samsung Foundry. Sin embargo, ambas estructuras de transistores GAA no serán iguales, aunque por ahora no sabemos cuál es mejor.

En cuanto al tiempo para la producción en masa, la planta de 2nm de TSMC todavía está en pañales. Anteriormente, se informó que el proceso de 2nm comenzará la producción de prueba durante la segunda mitad de 2023 y que alcanzará la producción en masa recién en 2024.

TSMC pone oficialmente en marcha la fase de I+D para su proceso de fabricación de 2nm ¿Le seguirá el ritmo Samsung Foundry?

Fuente: MyDrivers