TSMC dio a conocer un nuevo proceso de fabricación, una versión refinada de sus 12nm FinFET que reciben el nombre de N12E, y serán empleados para dar vida a chips 5G de bajo coste que se podrá integrar en módems, dispositivos IoT, auriculares inalámbricos, relojes inteligentes, wearables, gafas de realidad virtual y en SoCs de gama baja o de entrada.
Este proceso de fabricación reemplazará a los 22nm ULL, ofreciendo así un aumento del 76% en la densidad lógica, un aumento de las frecuencias en un 49% en un determinado consumo de energía, una disminución del consumo energético en un 55%, una reducción del 50% en el tamaño de la SRAM y permite el uso de voltajes Vdd tan bajos como de 0,4v, por lo que es ideal para dispositivos wearables. De esta forma, tras el salto de Nvidia de los 12nm a 7nm, la compañía aprovechará para seguir comerciando con este proceso en otros mercados.
vía: MyDrivers
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