SK Hynix revela el futuro de la memoria NAND de alto rendimiento: celdas de 5 bits, FeNAND 3D y CTI, logrando hasta 7,17 veces más TOPS por vatio

SK Hynix fue la empresa que dijo que los problemas de memoria RAM no se solventarían hasta al menos 2028. Estas eran las declaraciones de uno de los mayores fabricantes del mundo y aunque no hay mucho que podamos hacer en esta situación al menos nos podemos quedar con lo bueno. Últimamente SK Hynix no para de presentar novedades y tecnologías, pues hace unos días estuvimos viendo su StreamDQ que solventaría el mayor cuello de botella de las GPU para IA. Ahora SK Hynix ha anunciado los resultados de sus investigaciones con memoria NAND de 5 bits, FeNAND 3D y CTI.

Entre los principales fabricantes de memoria tenemos a Samsung, SK Hynix y Micron, siendo estas las tres que dominan el mercado, aunque también debemos añadir otras como SanDisk o Kioxia. Estas compañías han experimentado un gran crecimiento en los beneficios que obtienen en el mercado de memoria DRAM y NAND Flash, pues aquí vimos que debido a los altísimos precios lograron hasta un 33% más ingresos en 2025. Eso son buenas noticias para ellos, pero ya hemos visto que los consumidores han acabado sufriendo las consecuencias de todo lo que está ocurriendo con la IA y la memoria.

SK Hynix muestra sus avances en memoria NAND: está trabajando en NAND Flash de 5 bits y 6 bits por celda con MSC

La competencia en la industria es feroz y hemos visto como todos estos fabricantes luchan entre ellos para superar a sus rivales y captar el interés de los mejores clientes. En el caso de SK Hynix, esta ha apostado por seguir su camino de investigación y desarrollo de nuevas tecnologías y fue en diciembre cuando presentó varios de estos proyectos, los cuales vemos ahora. En el caso de la NAND de 5 bits o PLC, SK Hynix dice que aún no han acabado con el desarrollo de esta.

SK Hynix la ha denominado como Multi-Site Cells o MSC y se anunció en 2022. Su concepto es distinto, pues busca hacer que una celda se convierta en 2 y así tendríamos 6 bits por celda en vez de 3, siendo así Hexa-Level Cells o HLC, aunque también podrán conseguir los 5 bits esperados. Aunque se informa que hay chips funcionales en marcha, no tenemos nada oficial de SK Hynix.

SK no es el primer fabricante que se pone en marcha con PLC, pues ya hace un año tuvimos a Solidigm con un SSD de 5 bits en fase de preproducción y Kioxia ya hablaba de su equivalente con Twin BiCS Flash en 2019, pero no ha lanzado nada aún.

Con 3D FeNAND anuncian una increíble mejora de rendimiento por vatio consumido de hasta 4.950 veces sobre las matrices 2D FTJ

La siguiente novedad la encontraríamos con 3D FeNAND, es decir, la NAND ferroeléctrica. Esta tecnología lo que busca es lograr un mejor rendimiento por vatio consumido, concretamente TOPS/W. Según mencionan, con el proceso de "co-optimización de matrices" consiguieron que la 3D FeNAND rindiera 20,4x más en TOPS y lograse una proporción 7,17x en TOPS/W respecto a las matrices 3D FeNAND anteriores.

Si ahora hacemos la comparativa entre 3D CTN-NAND y 3D FeNAND tradicional, aquí tenemos una mejora de 2x en TOPS y de 2,3x en TOPS/W. Si ahora buscamos la comparativa más bestia, si ponemos a la 3D FeNAND vs una matriz 2D FTJ de las que se usaban hace años para memoria, tenemos una mejora de hasta 16x más TOPS y hasta 4.950x TOPS/W. Por último tenemos Charge-Trap-Nitrid-Isolation o CTI, una tecnología que permite distribuir mejor los voltajes dentro de una celda NAND, logra una mejor retención de datos y un acceso de lectura más rápido. Según SK Hynix, esta tecnología ya está finalizada y lista para usar, por lo que se pueden producir chips con CTI.