SK Hynix anuncia su memoria HBM3: Un 78% más rápida que la HBM2E

SK Hynix anunció en el día de hoy que se trata de la primera compañía que ha finalizado el desarrollo de su propia memoria DRAM HBM3 (High Bandwidth Memory 3). Según la compañía, esta no es únicamente la memoria DRAM más rápida del mundo, sino también la que más capacidad y calidad ofrece.

Según revela la compañía, la memoria HBM3 puede procesar hasta 819 GB/s (Gigabytes por segundo), lo que significa que se pueden transmitir 163 películas Full HD con 5 GB de peso en un solo segundo. Esto representa un aumento del 78% en la velocidad de procesamiento de datos en comparación con la HBM2E. También corrige los errores de datos (bits) con la ayuda del código de corrección de errores integrado en el chip, lo que mejora considerablemente la fiabilidad del producto.

La HBM3 de SK Hynix se ofrecerá en dos tipos de capacidad: 24 GB -la mayor del sector- y 16 GB. Para el producto de 24 GB, los ingenieros de SK Hynix han rectificado la altura de un chip DRAM hasta aproximadamente 30 micrómetros, lo que equivale a un tercio del grosor de un papel A4, antes de apilar verticalmente 12 chips utilizando la tecnología through silicon via.

Esta memoria será adoptada principalmente por los centros de datos de alto rendimiento, así como por las plataformas de aprendizaje automático que mejoran el nivel de inteligencia artificial y el rendimiento de la supercomputación utilizada para llevar a cabo el análisis del cambio climático y el desarrollo de medicamentos.

"Desde el lanzamiento de la primera DRAM HBM del mundo, SK Hynix ha conseguido desarrollar la primera memoria HBM3 del sector tras liderar el mercado de la HBM2E", dijo Seon-yong Cha, vicepresidente ejecutivo a cargo del desarrollo de la DRAM.

"Seguiremos esforzándonos por consolidar nuestro liderazgo en el mercado de las memorias de alta calidad y ayudaremos a potenciar los valores de nuestros clientes proporcionando productos que se ajusten a las normas de gestión de ESG".