Samsung sigue topándose con más problemas ligados a sus 3nm GAA

Parece que todas las fundiciones están encontrándose con obstáculos para dar el salto a los 3nm, y es que hoy conocemos que Samsung Electronics sigue enfrentándose a obstáculos tecnológicos a la hora de desarrollar la tecnología ligada a su proceso de fabricación de 3nm gate-all-around (GAA). A esto se le suman rumores de que una vez esté listo, el diseño de la litografía de 3nm GAA de Samsung también podría ser menos competitiva que la de TSMC con un diseño FinFET.

Esto crea muchísimas dudas entre los clientes de la compañía. Samsung ha fracasado en su intento de llamar la atención de Apple u otros socios importantes, y no solo eso, ya que incluso tiene problemas para retener a sus clientes, recordando que a partir del 2024, Qualcomm comenzará a producir sus chips en las fundiciones de Intel, al menos los de gama alta, desconociendo si los productos más económicos los mantiene en Samsung Foundry o hace una mudanza completa.

Los 3nm GAA no llegarán así hasta mínimo el año 2023, mientras que recientemente TSMC anunció un retraso en sus 3nm de hasta 4 meses que harán que ambas fundiciones estrenen este nodo durante el mismo año, salvo que TSMC tiene los acuerdos de las compañías más importantes como Apple, Intel o AMD.

vía: Digitimes