Samsung se pone las pilas con la memoria HBM4E para GPU de IA: 3,25 TB/s en 2027 para volver a recuperar el trono perdido contra SK Hynix

Entre los fabricantes de memoria más importantes que hay tenemos a tres que lideran el mercado: Micron, Samsung y SK Hynix. Estos son los que determinarán el presente y futuro de la memoria DRAM y Flash que utiliza la RAM, SSD, tarjetas SD, USB y memoria interna que encontramos en prácticamente todos los dispositivos. Debido a esto, es de gran importancia que los avances sigan progresando para no quedarnos estancados, pero aunque solo sean 3 compañías, la competencia es lo suficientemente dura para que veamos mejoras significativas. Ahora es el turno de Samsung, la cual ha dado un paso más y tiene como objetivo producir en masa la memoria HBM4E de 3,5 TB/s de séptima generación para el año 2027.

Ahora que estamos en una era donde la IA es tan importante, la capacidad de memoria es mucho más importante que esta. Con una mayor cantidad de memoria podremos ser capaces de entrenar y utilizar modelos de IA con LLM más grandes y en general, mayor complejidad y resultados. Además de una mayor capacidad, necesitamos que la memoria tenga un gran ancho de banda para acelerar los procesos de entrenamiento, inferencia y uso de la IA.

Samsung revela que su memoria HBM4E llegará a 3,25 TB/s y se producirá en masa en 2027

Con la memoria HBM conseguiremos ese gran ancho de banda que necesitamos y también se mejora la capacidad total. Esta memoria está destinada a las GPU y aunque HBM fue la primera generación hemos pasado ya por varias más y la última que vimos fue HBM4 en mayo que es cuando se anunciaron sus especificaciones y el aumento de precio. El mes pasado se confirmó que SK Hynix sería la primera empresa en producir en masa la memoria HBM4 y esto dejaba a Micron y Samsung por detrás en la carrera de la memoria. De estas dos, es el turno de Samsung Electronics, pues ahora tenemos una exclusiva de Jukan en X que revela que esta empresa planea producir en masa la memoria HBM4E para 2027.

Esta memoria HBME4E está por delante de la HBM4 de SK Hynix y Samsung espera que alcance 3,25 TB/s de ancho de banda, 2,5 veces más que la memoria HBM3E de pasada generación. La compañía surcoreana reveló que su objetivo es alcanzar una velocidad de pin de al menos 13 Gbps y aquí estamos hablando de 2048 pines E/S, lo que da lugar a esos 3,25 TB/s mencionados.

SK Hynix y Micron ya compiten contra Samsung en HBM4, pero la surcoreana lleva ventaja con HBM4E

No es la primera vez que Samsung Electronics habla de la memoria HBME4E, pues en la anterior conferencia ISSCC celebrada en San Francisco en enero de 2025, la empresa dijo que su objetivo con HBM4 era aumentar el ancho de banda de 8 Gbps a 10 Gbps. NVIDIA solicitó un aumento por encima de los 10 Gbps para sus GPU Vera Rubin para IA y ahí es cuando Samsung anunció que subiría a 11 Gbps, pero SK Hynix la igualó. Esto dejaba a Micron con la duda de si podría ser capaz de competir a ese nivel, aunque esta confirmó recientemente que entregaría a NVIDIA muestras de 11 Gbps también.

Esto superaría con creces las especificaciones oficiales de JEDEC de 8 Gbps y 2 TB/s. De igual forma con HBM4E se exigían 10 Gbps y aquí tenemos un 30% por parte de Samsung. Además de un gran aumento del ancho de banda, la eficiencia energética ha mejorado más del doble respecto a los 3,9 picojulios (pJ) por bit de HBM3E. Por otro lado, durante este evento Samsung también anunció otras novedades interesantes. Tendríamos así su próxima memoria LPDDR6 con 10,7 Gbps por pin y 114,1 GB/s además de una mejora de eficiencia de un 20% respecto a LPDDR5X. Otra novedad es que el proceso SF2 de 2 nm ya está listo y su producción en masa empezará a finales de 2025. Por último, ha hablado de su colaboración con Rebellions y la creación de su Rebel-CPU con un procesador que usa SF2 de Samsung y SF4X de 4 nm para la NPU.