Nos encontramos ante un movimiento estratégico de Samsung que marca un cambio de rumbo en el sector de la memoria, sí, por segunda vez en este 2025. La compañía surcoreana está revisando lo hecho, lo realizado, en base a un plan para reducir drásticamente su capacidad de producción de memoria HBM3E (basada en el proceso 1a), con la intención de maximizar la rentabilidad en el próximo ejercicio. ¿Qué piensan hacer ahora? Pues algo que no se pronosticaba, porque Samsung quiere ahora mover la producción de HBM a DDR5, LPDDR5 y GDDR7, y claro, los analistas están levantando la ceja izquierda. ¿Por qué iban a tomar ahora este cambio de rumbo? ¿Qué significa esto para PC y portátiles, así como servidores?
Este enfoque sitúa la producción de DRAM de propósito general, es decir, DDR5, LPDDR5 y GDDR7, en el centro de su estrategia, un segmento que ofrece márgenes de beneficio significativamente superiores, y aunque suene surrealista, a la actual HBM3E. ¿Qué demonios está pasando en el sector de la memoria?
Lo que ocurrió hace poco más de un mes fue, curiosamente, el movimiento contrario. Samsung declaró, como vimos en su momento, que iba a mover la producción, sus líneas completas, de DRAM de propósito general con DDR5, LPDDR5 y GDDR7 a la más cara y rentable HBM en sus diferentes variantes. ¿El motivo? Pasta, simple y llanamente, pero... No han salido las cosas como creían. Entonces, ¿a qué viene esto ahora?
La ambición es clara: revertir las recientes pérdidas operativas y superar en rentabilidad a su principal competidor, SK Hynix. En otras palabras, de nuevo el objetivo es la pasta, ganar más dinero. Esta decisión, aunque contraintuitiva en un momento de auge de la Inteligencia Artificial, enlaza directamente con el inicio de un nuevo ciclo alcista de la DRAM, obligándonos a analizar la cruda realidad económica detrás de la memoria de alto rendimiento.
O lo que es igual, sus analistas fueron tan poco previsores e inteligentes que pensaron que la DDR5, LPDDR5 y GDDR7 no iban a subir tanto de precio, y por otro lado, creían que iban a competir con SK Hynix por los contratos de los tipos de HBM que tienen en catálogo. Como podrás esperar, fueron dos FAIL de manual.
El núcleo de la estrategia reside en la conversión de entre un 30% y un 40% de la capacidad de la DRAM 1a a la producción en el proceso de quinta generación (1b). Este nodo se utiliza para fabricar memorias de propósito general como DDR5, LPDDR5X y GDDR7, productos que están experimentando fuertes subidas de precios debido a la escasez de suministro, como bien sabemos.
Esta reasignación liberará el equivalente a 80.000 obleas adicionales al mes para la producción de DRAM 1b. La justificación económica de este viraje es innegable: mientras que la HBM3E de 12 capas de Samsung tiene un margen operativo estimado en torno al 30%, la DRAM de propósito general puede alcanzar márgenes superiores al 60%.
Dicho de otro modo: la DDR5, LPDDR5 y GDDR7 ahora mismo se cobra al doble que la HBM para la IA, es simplemente surrealista si tenemos en cuenta la complejidad de una frente a las otras. Por lo tanto, el doble de beneficio por unidad de capacidad es un argumento de peso que prevalece sobre el prestigio tecnológico de la HBM.
Y es que Samsung está vendiendo a todas las empresas de Inteligencia Artificial que necesitan HBM3E con unos márgenes de beneficios ridículos, solo para recuperar parte del terreno perdido contra su gran rival nacional y mundial. Tanto es así, que hay que tener en cuenta los beneficios a largo plazo para entender el punto final del movimiento de los coreanos.
Las previsiones de la industria sugieren que el precio medio de venta (ASP) de esta memoria caerá más de un 30% a partir del próximo año. Para Samsung, que ya suministra el producto a precios un 30% inferiores a los de SK Hynix, esta caída incrementa la presión sobre los ya estrechos márgenes de la HBM3E.
En este contexto, un responsable de la industria de semiconductores aclaró la situación con gran franqueza: dada la amplia diferencia de rentabilidad, fabricar HBM3E es, en esencia, una pérdida en la coyuntura actual, y esto es dramático. Con la demanda descontrolada Samsung tiene que hablar de pérdidas habiendo solo un competidor en el mercado que le hace sombra.
La memoria HBM3E ha cumplido su objetivo estratégico al pasar la calificación de NVIDIA, pero la empresa está forzada a buscar ahora el beneficio tangible. Por lo tanto, volvemos al argumento inicial: Samsung necesita dinero fresco, no puede competir con SK Hynix pese a vender todo lo que fabrica y tener reservas para años con NVIDIA y otros socios, y tiene que volver a la senda de la rentabilidad porque apostó demasiado fuerte a la HBM.
Por ello, el optimismo sobre el ciclo alcista de la DRAM (DDR5, LPDDR5 y GDDR7) general es tan firme que Samsung no solo está convirtiendo líneas de HBM en un rollback que será recordado durante décadas, sino que ha decidido reasignar líneas de producción de NAND Flash de sus campus de Pyeongtaek y Hwaseong a la fabricación de DRAM de propósito general.
Sobra decir que esto va a hacer que los precios de la DDR5, LPDDR5 y GDDR7 bajen un poco porque se creará stock, pero por desgracia, como el ciclo sigue siendo alcista, será un espejismo, puesto que 80.000 obleas para todo el planeta es ridículo. Solo veremos cómo los precios descienden unas decenas de dólares, o se mantienen, para luego terminar subiendo en 2026. Viendo lo único positivo del asunto, es que al menos habrá un hilo de stock en tiendas, aunque sea de modelos contados, a precio de sangre de unicornio y donde la reventa terminará por destrozarlo todo como pasó en la época de la minería de criptomonedas.
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