Samsung ya adelantó algunos de sus anuncios más importantes cara al CES 2026, y uno de ellos es el PM9E1 M.2 22x42. Y es que bajo un formato clásico de un SSD M.2 2242, la compañía ha combinado tanto el almacenamiento NAND Flash con la memoria DRAM. Es decir, que en un mismo dispositivo se combine un SSD convencional junto a la propia memoria DRAM del sistema.
Adicionalmente anunció un SSD modular para vehículos donde la controladora y la memoria NAND está físicamente separadas. Y también adelantó los primeros detalles en torno a su memoria RAM LPDDR6. La próxima generación de memoria RAM para smartphones de muy alta gama y otros dispositivos con memoria soldada como puedan ser ultrabooks de alta gama, o futuras consolas portátiles.
Tal y como puedes ver, básicamente, en un mismo PCB, con el PM9E1 M.2 22x42, Samsung ha combinado tanto la controladora del SSD con su memoria V-NAND Flash, junto al propio circuito de alimentación de la memoria que le acompaña DRAM. Que en este caso es LPDDR4X. De esta forma Samsung combina dos componentes críticos en uno. Esto ahorra costes, espacio, y permite enfocar la refrigeración a ambos tipos de memoria de forma simultánea. Esto es ideal para ultrabook o una nueva generación de consolas portátiles para aprovechar ese espacio libre para distribuir mejor el hardware, realizar mejoras en la refrigeración, o simplemente tener más espacio para aumentar la capacidad de la batería.
El Samsung PM9E1 M.2 22x42 incluye una controladora PCI-Express 5.0 Samsung Presto, que permite combinarse con hasta 4 TB de memoria V8 TLC V-NAND Flash. Esta memoria es capaz de alcanzar unas velocidades secuenciales de lectura de hasta 14.800 MB/s y unas velocidades de escritura de hasta 13.400 MB/s. De la memoria DRAM integrada funcionalmente como parte del subsistema principal no se sabe ningún tipo de información. Esta combinación representa un nuevo paradigma híbrido entre almacenamiento y memoria. Pero tocará esperar para conocer si será útil y adoptado por la industria, o todo se mantendrá como hasta ahora.
Junto al Samsung PM9E1 M.2 22x42, tenemos el Detachable AutoSSD. Básicamente, es un SSD modular en formato E1.A donde la controladora y la memoria NAND están separadas físicamente. Esto no solo permite mejorar la disipación térmica, sino también facilitar el mantenimiento, lo que también facilita su actualización, reemplazo, y extender la vida útil. Por un lado está la memoria V-NAND de 8ª Generación de Samsung, y por otro, una controladora PCI-Express 4.0 a un proceso de fabricación de 5 nm. Todo ello va ligado a un diseño que soporta vibraciones, choques y cambios extremos de temperatura. Es decir, todo para ofrecer una fiabilidad industrial para vehículos.
Terminamos con la memoria DRAM LPDDR6, fabricada a un proceso de fabricación de 12 nm y que promete alcanzar velocidades de 10.700 MT/s en su debut. El techo de rendimiento de esta memoria rondaría los 14.400 MT/s. Esta memoria se enfocará principalmente a mejorar las cargas de trabajo de la IA. Y es que tanto portátiles como móviles comparten un hardware dedicado para IA, y una memoria más rápida únicamente mejorará aún más el desempeño. A ello se le suma que se promete una mejora en la eficiencia energética en torno a un 21% respecto a su predecesora. Esta memoria la veremos así en futuros sistemas de AMD, Intel y dispositivos basados en Arm.
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