Samsung iniciará la producción en masa de chips a 3nm en las próximas semanas

Samsung anunció en el día de hoy que, tan pronto como en las próximas semanas, durante este trimestre (Q2 2022), iniciará el proceso de fabricación en masa de 3GAE (3 nm). Con esto la compañía conseguirá dos hitos: ser la primera en ofrecer un procesado de fabricación de 3nm de la industria (al menos bajo el papel, no se habla de densidades), además de también ser la primera que emplea un proceso de fabricación con un diseño GAAFET (FET Gate All Around). 3GAE = a 3nm GAAFET.

"Potenciamos el liderazgo tecnológico mediante la primera producción en masa del mundo del proceso GAA de 3nm", menciona la compañía en un documento PDF para sus inversores.

"Superar el crecimiento del mercado manteniendo el liderazgo en la tecnología de procesos GAA, adoptar estrategias de precios para garantizar las inversiones futuras y aumentar el rendimiento y la porción de nuestros procesos avanzados.

Según indica Samsung, su proceso de fabricación de 3nm reduce el tamaño total del silicio en un 35 por ciento respecto al proceso de fabricación de 5nm FinFET. Además de ser más pequeño, promete una disminución del consumo energético entorno a un 50 por ciento, mientras que el rendimiento aumenta en un 33 por ciento y la densidad de transistores crece en un 80%.

El diseño del GAAFET, a diferencia del FinFET, cuenta con canales en diseño horizontal rodeados con cuatro puertas, una a cada lado del canal (vs 3 del diseño FinFET), lo que garantiza una reducción de las fugas de energía y, por lo tanto, un mejor control sobre el canal, un paso fundamental cuando se reduce el proceso de fabricación. Este cambio a un diseño de transistor más eficiente junto con la reducción del tamaño del nodo es lo que permite el tremendo salto en el rendimiento por vatio respecto a los 5nm FinFET promocionados por la compañía.