Samsung inicia la producción en masa su memoria DRAM DDR5 @ 14nm

Samsung Electronics anunció en el día de hoy que ha comenzado a producir en masa la memoria DRAM más pequeña del sector gracias al uso de su proceso de fabricación de 14nm EUV. Tras el envío de la primera DRAM EUV del sector en marzo del año pasado, Samsung ha aumentado el número de capas EUV a cinco para ofrecer el proceso de DRAM más delgado y avanzado de la actualidad para sus soluciones DDR5.

"Hemos liderado el mercado de la DRAM durante casi tres décadas siendo pioneros en las innovaciones tecnológicas de modelado", dijo Jooyoung Lee, Vicepresidente Senior y Jefe de Producto y Tecnología DRAM de Samsung Electronics.

"Hoy, Samsung está marcando otro hito tecnológico con la tecnología EUV multicapa que ha permitido una miniaturización extrema a 14nm, una hazaña que no es posible con el proceso convencional de fluoruro de argón (ArF). Sobre la base de este avance, continuaremos proporcionando las soluciones de memoria más diferenciadas al abordar plenamente la necesidad de un mayor rendimiento y capacidad en el mundo impulsado por los datos del 5G, la IA y el metaverso."

Vamos a lo que interesa, y es que producir chips de memoria DDR5 @ 14nm EUV implica que la compañía ha conseguido mejorar la productividad general de la oblea en aproximadamente un 20 por ciento (de cada oblea ahora pueden sacar hasta un 20% más de chips de memoria). Además, el proceso de fabricación de 14nm EUV puede ayudar a reducir el consumo de energía en casi un 20% en comparación con el nodo DRAM de la generación anterior.

Aprovechando el último estándar DDR5, la DRAM de 14nm de Samsung ayudará a alcanzar velocidades sin precedentes de hasta 7,2 gigabits por segundo (Gbps), lo que supone más del doble de la velocidad DDR4 de hasta 3,2 Gbps.