Samsung fabrica un Snapdragon 8 Elite Gen 5 a 2nm para que Qualcomm lo evalúe respecto a la versión de TSMC

Según los últimos informes, Samsung Foundry ha enviado a Qualcomm unos chips Snapdragon 8 Elite Gen 5 fabricados con su nodo 2 nm GAA. Esto es bastante llamativo, ya que estos chips están siendo fabricados en masa por TSMC mediante su proceso de fabricación a 3 nm 'N3P'. No es un secreto que los Snapdragon 8 Elite Gen 5 no han debutado con buen pie, y el motivo es el de siempre: un elevadísimo consumo energético para poder compartir con Apple y sus Apple Silicon a nivel de rendimiento.

El máximo exponente de esta desventaja la encontramos con el iPhone 17 Pro Max frente al Xiaomi 17 Pro Max. Si bien el Xiaomi tiene una batería un 55% más grande respecto al iPhone, en las pruebas realizadas, esto únicamente derivó en ofrecer 5 minutos más de autonomía. Ahora Qualcomm podría estar interesada en vez de lo que es capaz de hacer Samsung para ver si hay una ventaja competitiva respecto a TSMC que pueda compensar un "defecto" que viene de raíz, es decir, de la arquitectura del chip Snapdragon.

El Snapdragon 8 Elite Gen 5 se entregó a Qualcomm únicamente después de cumplir con estándares de calidad internos

Desde el medio coreano New Daily, se indica que Samsung ha producido unos chips Snapdragon 8 Elite Gen 5 en calidad de muestra para Qualcomm. Estos utilizan su proceso de fabricación más avanzado hasta la fecha, el 2 nm GAA (Gate-All-Around). Este envío de la muestra sugiere que Samsung aspira a entrar como proveedor (o coproveedor) de Qualcomm para ese chip de alta gama. Esto le interesa a ambas partes. Por un lado Samsung por fin produce algo para un fabricante de primer nivel y obtiene publicidad. Por otro lado, Samsung sortea la fabricación limitada, y más cara, que ofrece TSMC al estar colapsada por fabricantes de primer nivel.

Que Samsung haya podido fabricar una muestra en 2 nm GAA ya indica que tienen cierta capacidad de desarrollo tecnológico en ese nivel. Pero fabricar muestras y producir en volumen son dos retos completamente distintos. Ahora bien, al ser lo más probable un coproveedor que coexistirá con TSMC, una producción limitada podría ser más que suficiente para Qualcomm por ahora.

“GAA” (Gate-All-Around) es una arquitectura de transistor más avanzada que permite un mejor control del canal y eficiencia energética que los diseños FinFET tradicionales, especialmente conforme los tamaños de nodo alcanzan los 2 nm. Así que sería interesante conocer si Qualcomm ofrecerá detalles. En caso de no hacerlo, no sabríamos nada hasta que realmente se alcance una colaboración y lleguen los primeros dispositivos con este SoC para realizar comparativas con la versión fabricada con TSMC.

El principal problema de Samsung se encuentra en el rendimiento de la propia oblea

Cuando hablamos de rendimiento de la oblea, hablamos del porcentaje de chips de buena calidad fabricadas por oblea. Samsung ha tenido históricamente este problema, y eso no cambiará con un nodo tan vanguardista, algo que será aún peor. Esto impide gestionar los procesos de producción y calendarios de los fabricantes. Lo que además implica que cada chip funcional es mucho más costoso debido a que hay que compensar el porcentaje de chips que no terminan siendo funcionales.

En el mejor de los casos, hay un porcentaje adicional de obleas funcionales, pero que se utilizan para productos más económicos, al no tener la misma calidad. Y es que a medida que se "imprimen" chips cerca del borde de la oblea, hay una menor precisión para su fabricación. Por lo que son más ineficientes y propensos a tener fallos de diseño.

Según los informes, para el propio chip de Samsung, el Exynos 2600, los rendimientos se moverían en torno al 50%, cuando idealmente deberían acercarse al 70%. Eso muestra que aunque la tecnología esté ahí, la madurez del proceso todavía no es óptima. No le genera muchas pérdidas y altos costes de producción.