Samsung entra en la lucha por la memoria del futuro: así quiere liderar la próxima generación de memoria HBF para las GPU de IA

Samsung se prepara para dar el siguiente salto en memoria buscando no repetir lo que pasó con la HBM. La compañía surcoreana ha comenzado el desarrollo de lo que muchos ya llaman la “segunda era de la memoria de alto ancho de banda”, o dicho de otro modo, la llamada HBF, o High Bandwidth Flash. Este nuevo tipo de memoria pretende complementar a la HBM en las GPU de Inteligencia Artificial del futuro, ofreciendo una combinación de mayor capacidad y velocidad que podría redefinir el diseño de los aceleradores de datos masivos, y claro, Samsung no quiere perder el carro de esta HBF.

En pocas palabras, Samsung quiere que sus chips de memoria también impulsen el corazón de las GPU para IA, sobre todo las de NVIDIA y AMD, las cuales compiten de manera brutal ahora mismo, y lo harán todavía mejor en la próxima generación.

Samsung se lanza a por la memoria HBF en un intento de recuperar la corona frente a SK Hynix

La HBF se basa en aplicar el mismo concepto de interconexión vertical por TSV (Through Silicon Via) usado en la HBM, pero trasladado a la memoria NAND. Con esta arquitectura apilada, se logra un ancho de banda mucho mayor y una capacidad significativamente superior. En otras palabras, la HBF busca resolver el gran cuello de botella que sufre la HBM actual: su límite físico de densidad.

Además, esto impulsaría el desarrollo de la NAND Flash tradicional, como la de los SSD, ya que se unificarían esfuerzos por llegar a mayor densidad, mayor número de capas y celdas, puesto que China es el competidor inmediato y ha pasado olímpicamente de las 300 capas para ir a por las 400, algo que asusta a los coreanos.

Sea como fuere, Samsung lo tiene claro con la adopción de la memoria HBF. La idea es sencilla pero potente: colocar módulos HBF junto a los HBM dentro de los aceleradores de IA. De este modo, la HBM gestionaría las operaciones de alta velocidad, mientras la HBF actuaría como un depósito intermedio capaz de suministrar grandes volúmenes de datos de forma rápida. Este binomio podría convertirse en la nueva base arquitectónica de las GPU de próxima generación, especialmente ante el auge de los modelos multimodales que procesan texto, imagen y vídeo al mismo tiempo.

La cantidad de datos que tiene que trabajar cada GPU de IA o acelerador crece rápidamente

Los motivos detrás de este movimiento son claros. Modelos como ChatGPT o Gemini ya no solo manejan lenguaje, sino que también generan imágenes y vídeo, lo que multiplica exponencialmente el volumen de datos a procesar. En este contexto, velocidad y capacidad son dos caras de la misma moneda, y la industria empieza a asumir que no bastará solo con HBM.

Mientras tanto, competidores como SK Hynix y Kioxia ya han mostrado sus cartas. SK Hynix trabaja junto a SanDisk en un estándar conjunto de HBF, con planes para ofrecer muestras en 2026 y producción en 2027. Kioxia, por su parte, presentó en agosto un prototipo de 5 TB y altas velocidades, marcando el inicio de una carrera que promete ser tan intensa como la de la HBM hace unos años.

Sin embargo, el verdadero punto de inflexión podría llegar con Samsung. Según TrendForce, la firma domina el 32,9% del mercado global de NAND Flash, y su entrada en la HBF podría alterar el equilibrio de poder en toda la industria. La compañía ya ha iniciado las primeras fases de diseño conceptual, aprovechando su experiencia previa en memorias apiladas y su capacidad de producción a gran escala.