Samsung consigue reducir un 50% el consumo de su nodo a 3 nm

Samsung no está pasando por un buen momento si hablamos de sus nodos de fabricación. Desde sus 8 nm utilizados para las tarjetas gráficas NVIDIA RTX 30, pasando por sus nodos más avanzados de 5, 4 y hasta 3 nm futuros. Estos últimos (Samsung 3 nm GAA) ya llevan tiempo anunciando unas bajas tasas de rendimiento inferiores al 50%, pero ahora llega la propia Samsung para desmentir eso y además, anunciar las mejoras de su futuro nodo a 3 nm.

Los nuevos nodos de fabricación de Samsung han sido objeto de noticia desde hace unos años, sabiendo que en 2021, se mencionaron tasas de rendimiento muy bajas para sus nodos 5 nm. Esto ahuyentó a clientes como NVIDIA y Qualcomm, pero Samsung ha querido tomar las riendas de la situación, diciendo ahora que la tasa de rendimiento ha mejorado y que el proceso a 3 nm está en producción en masa, según su junta directiva. Esto se comunicó después de la reunión de Samsung para mostrar los resultados del primer trimestre de 2022, en la cual, los funcionarios de Samsung negaron los rumores de que los rendimientos eran demasiado bajos.

Los primeros transistores 3 nm GAA MBCFET de Samsung

Prosiguiendo con lo comentado, Samsung dijo que el proceso de 5 nm ha entrado en la etapa de madurez y sigue ampliando sus servicios. Respecto al proceso de 4 nm, este ha entrado en su curva de rendimiento prevista a pesar de un retraso en el proceso de mejora del rendimiento. Por último, para el proceso a 3 nm, se está preparando una futura línea de producción en I+D. Este nodo a 3nm sería la apuesta de Samsung para alcanzar a TSMC, con la particularidad de que no usará FINFET, sino transistores Gate-All-Array (GAA).

Tecnología MBCFET con transistores GAA apilados como Nanosheets

Este nuevo proceso a 3nm también dispondría de la tecnología Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), en la cual los transistores GAA en formato nanoescala se apilarían formando "Nanosheets" como Samsung menciona, mejorando considerablemente el rendimiento y solucionando los problemas de apilamiento presentes en las anteriores tecnologías.

Esos transistores GAA, junto a la tecnología MBCFET ofrecerían una ventaja considerable contra los FINFET que utilizaría TSMC en su proceso a 3 nm, debido a que requerirán un menor voltaje para funcionar, es decir, ofrecerán un mejor rendimiento/vatio. Esto es un factor importantísimo a la hora de desarrollar nuevos procesadores, debido a que la tendencia de mercado va cada vez más hacía un mayor consumo y potencia.

Para finalizar, según Samsung, este nuevo nodo a 3 nm GAA con MBCFET nos ofrecerá:

• Reducción del 50% en consumo de energía.
• Mejora de rendimiento del 35%.
• Un 45% de reducción del área.

En un momento como este, donde disminuir cada vez más los nanómetros y estar cerca del límite de la Ley de Moore no parece darnos una mejora sustancial, una alternativa que mejore al FINFET tradicional podría funcionar. Ahora tan solo habrá que esperar para ver esa producción en masa anunciada por Samsung.

VÍA: MyDrivers