Samsung anuncia los primeros chips de memoria LPDDR5X de la industria

Samsung Electronics anunció que se trata de la primera compañía en anunciar el desarrollo de su memoria DRAM LPDDR5X (Low Power Double Data Rate 5X). Estos chips llegan con una capacidad de 16 Gigabit (Gb) basadas en un proceso de fabricación de 14nm, y están diseñadas para manejar el crecimiento en todas las aplicaciones de servicios de datos de alta velocidad, incluyendo el 5G, la inteligencia artificial (AI) y el metaverso.

"En los últimos años, los segmentos de mercado hiperconectados, como la IA, la realidad aumentada (RA) y el metaverso, que dependen de un procesamiento de datos a gran escala extremadamente rápido, se han expandido rápidamente", dijo SangJoon Hwang, vicepresidente sénior y jefe del equipo de diseño de DRAM de Samsung Electronics.

"Nuestra memoria LPDDR5X ampliará el uso de la memoria de alto rendimiento y bajo consumo más allá de los smartphones y aportará nuevas capacidades a las aplicaciones de borde basadas en la IA, como los servidores e incluso los automóviles."

Los chips de memoria RAM Samsung LPDDR5X son capaces de alcanzar velocidades de 8,5 Gbps, lo que implica ser un 30% más rápidas respecto a sus memorias más rápidas en la actualidad, las LPDDR5 @ 6,4 Gbps, y todo ello consumiendo un 20% menos de energía, y permitiendo crear módulos de memoria de hasta 64 Gigabytes (GB) de capacidad.