Micron retrasa la construcción de su fábrica en Nueva York: mueve el dinero a su planta de Idaho ante la crisis mundial de memoria

Micron ha realizado un importante anuncio, posponer la construcción de su nueva fábrica de memoria en Nueva York para mover toda su inversión a su planta de Idaho. El motivo es bastante evidente, no hay memoria de ningún tipo, los precios de la memoria se han duplicado en los últimos seis meses, y se habla de una escasez que duraría hasta una década si la demanda se mantiene. Es por ello que la compañía ha decidido realizar un importante movimiento en un intento de priorizar aumentar la producción de memoria en el menor tiempo posible.

Este plan pasa por dejar de lado, por ahora, la construcción de su nueva plan de semiconductores en Nueva York, la cual se esperaba que estuviera lista y operativa para finales de 2030. El nuevo plan pasa por reasignar en torno a 1.200 millones de dólares a su planta ya operativa que tiene en el estado de Idaho. La idea es simple: comenzar a producir memoria DRAM lo más rápido posible.

Los organismos regulados ven con buenos ojos reasignar el dinero a la placa de memoria de Micron en Idaho

Esto es bastante importante, y es que Micron recibió una inyección de 6.100 millones de dólares en virtud de la Ley CHIPS. Esta inversión está ligada a la construcción de la fábrica en Nueva York. Pero ahora han decidido reasignar una parte para acelerar la expansión de su fábrica en Idaho, lo que también permitirá a Micron mantener al menos el 40% de sus operaciones de fabricación de DRAM en Estados Unidos. Por lo que se sabe hasta ahora, la fábrica de Nueva York podría completarse, y funcionar a pleno rendimiento, en el 2040.

De esta forma, Micron ha dado prioridad a la expansión de su fábrica en Idaho, lo que responde al auge y demanda de memoria de alto ancho de banda (HBM) y otros tipos de memoria. Dicho de otra forma, Micron quiere ampliar su producción de memoria DRAM y HBM cuanto antes. Y lo mejor es reasignar los recursos en la ampliación de sus instalaciones actuales, y no construir una nueva desde cero en Nueva York, lo que aumenta notablemente los plazos para fabricar memoria.

Para la región de Nueva York, el proyecto sigue vivo, pero los plazos se han alargado. Micron indica que esto también permitirá ofrecer plazos más realistas, junto a un mayor seguimiento del desarrollo de la infraestructura, los permisos, la construcción y la contratación de talento, que siempre es un cuello de botella en esta industria.

¿Escasez de memoria durante los próximos 10 años?

Mientras que Micron reasigna su inversión para producir memoria adicional antes de tiempo, justo esta misma semana el CEO de Phison (controladoras de SSD), anunció que el precio de la memoria NAND Flash se había duplicado en los últimos 6 meses. Por ejemplo, 1 Terabit de memoria TLC NAND Flash ha pasado de costar 4,80 dólares en julio de 2025, a 10,70 dólares en noviembre de 2025. Hablamos así de que los precios se han duplicado. Pero es que en otros tipos de memoria NAND, como la MLC o QLC, los precios se han más que duplicado.

Al menos, en lo que respecta a la memoria de almacenamiento, el propio CEO indicó a principios del mes de octubre que habría escasez de memoria NAND Flash durante 10 años. Esta fuerte escasez llegaría en 2026, y se mantendría durante la próxima década. De esta forma, podemos ver como la memoria DRAM, HBM o NAND están sufriendo serios problemas de disponibilidad, lo que implica un drástico aumento de los costes.

Las consolas PlayStation 5 y Xbox Series X|S son más caras a día de hoy que cuando se lanzaron hace 5 años. Xiaomi anunció que en 2026, sus smartphones aumentarán de precio para compensar el aumento de costes. El fabricante de Mini-PC Minisforum anunció una subida de precio en sus equipos, ofreciendo variantes sin RAM ni SSD que no se verán afectados por los aumentos de precio. Así que todo pinta bastante mal, y esto nada más acaba de comenzar.