Según los últimos informes de la industria, el proceso de fabricación N3E (3nm) de TSMC va viento en popa. Si bien en un principio se revelaba que en vez de llegar a principios de 2024 su producción en masa se adelantaba a finales de 2023, pero ahora todo indica que esta comenzará aún más pronto: durante el segundo trimestre de dicho año (Q2 2023).
Si bien se esperaba que el procesado de fabricación N3E fueran unos '3nm+', finalmente se tratan de una litografía alternativa ligeramente mejorada debido a un diseño EUV con menos capas, supuestamente reducidas de 25 a 21 capas, lo que facilitaría su fabricación. Según los detalles filtrados, el proceso de fabricación N3E sería un 8 por ciento menos denso que el nodo N3 original, pero un 60 por ciento más denso que los 5nm. A modo de comparación, se dice que el nodo N3 tiene una lógica un 70 por ciento más densa que el nodo N5.
Pese a ello, se indica que la litografía N3E "presenta una ventana de proceso de fabricación mejorado con un mayor rendimiento, potencia y producción", por lo que es posible que veamos el nodo N3E utilizado para futuros productos por casi todo aquel que quiera fabricar silicio de alto rendimiento. También se dice que el nodo N3E tiene un mayor rendimiento que el nodo N3B, y que el N3B es una versión mejorada del N3 para determinados clientes.
El principal cliente de los N3E sería Apple, aunque las desavenencias de Qualcomm con Samsung Foundry hará que Apple no reciba toda la producción de estas obleas. Se espera que la producción inicial arranque en las 10.000 - 20.000 obleas al mes.
vía: @chiakokhua | TechPowerUp
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