El “primer nodo” de 3 nm de Samsung ofrecerá un rendimiento 30% mayor a los 5 nm

Samsung ya tiene lista su tecnología de fabricación a 3 nm, la primera en el mundo. El diseño a 3 nm utiliza una nueva tecnología llamada Gate-All-Around (GAA) en lugar del clásico diseño de transistor FinFET, esto ofrecerá un rendimiento un 30% mayor en comparación con el nodo de 5 nm.

Se espera que el nodo de 5 nm, este configurado para la producción en masa en el primer semestre de este año, y ofrezca un rendimiento de un 11% más alto comparado con los 7 nm. Eso está un poco por detrás de las estimaciones de TSMC para su propio nodo de 5 nm, que se promociona, ofreciendo un rendimiento de un 15%. Esto se debe a que el diseño de 5 nm de Samsung no es un sucesor de su nodo a 7 nm, mientras que el de 5 nm de TSMC sí.

Samsung afirma que el nodo de 3 nm ofrecerá una reducción del 35% en el tamaño de la matriz en comparación con su nodo actual de 5 nm, mientras que también reduce el consumo de energía en un considerable 50%. Y, si la potencia se deja en el mismo nivel, el nodo de 3 nm puede ofrecer un aumento del 30% en el rendimiento.

En este momento se desconoce si esto será suficiente para convencer a empresas como Nvidia y AMD de cambiar de TSMC a Samsung, pero el corte de energía de esta semana en su planta de Hwaseong, probablemente no haya ayudado mucho en infundir confianza…

Lo que si sabemos es que Nvidia usará a Samsung para algunas de sus próximas GPU, pero el CEO, Jen-Hsun Huang, confirmó en una entrevista reciente que TSMC aún sería responsable de la mayoría de sus pedidos de GPU de