De acuerdo con el periódico local chino China Securities Journal, la compañía ChangXin Memory Technology, fundada en el año 2016, ha comenzado su producción en masa de chips de memoria DRAM enfocada directamente al mercado de consumo, es decir, al que a nosotros nos interesa, el doméstico.
Este movimiento repercutirá directamente en los precios de memoria DRAM, ya que buscará competir con fabricantes como Micron, SK Hynix y Samsung. Estas tres compañías manejan casi la totalidad de la producción de memoria DRAM en el mundo, y esto se ha traducido en numerosos problemas que van desde el pacto de precios, hasta manejar la producción de la memoria para aumentar los precios artificialmente.
ChangXin Memory Technology comenzará con la producción en masa empleando una litografía de 18nm, por lo que no está empleando un proceso muy antiguo ya que sus competidores directos se mueven en los 16, 14 y 12nm para la producción de memoria DRAM. La compañía promete producir en torno a 120.000 obleas al mes, esperando enviar la primera oleada de chips de memoria a finales de este año.
Para que esto fuera una realidad, la compañía china ha invertido alrededor de 21.100 millones de dólares para comenzar la producción en masa, así como 2.500 millones en investigación y desarrollo. Por otro lado, la compañía cataloga a su nueva memoria dentro de la clase de los 10 nanómetros, y esto se debe a que los circuitos tienen un ancho de 10 a 19nm, mientras que el chip DRAM es de 18nm.
vía: Technode
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