ChangXin Memory Technologies llega a un acuerdo con Rambus, accederá a su Propiedad Intelectual

El fabricante chino de memoria DRAM, ChangXin Memory Technologies, ha anunciado que ha llegado a un acuerdo de licencia de patentes con Rambus.

Por desgracia, hasta ahí llegan los detalles, desconociendo realmente a qué Propiedad Intelectual ha tenido acceso, podríamos estar hablando incluso se memoria HBM2 o HBM3, ya que Rambus tiene numerosas patentes ligadas a estas memorias junto a otras de gran relevancia a corto plazo como la GDDR6 o DDR5.

"El acuerdo con Rambus demuestra una vez más nuestra gran atención a las normas internacionales relacionadas con la Propiedad Intelectual (IP) y los continuos esfuerzos para fortalecer la cartera de IP de la empresa", dijo Yiming Zhu, presidente y director general de ChangXin Memory Technologies (CXMT), que fue fundada en 2016.

"Con el fin de lograr un crecimiento sostenible y ganar competitividad en el mercado, nos comprometemos a construir continuamente sobre nuestra tecnología y activos de IP a través de esfuerzos independientes de I+D combinados con la cooperación mundial".

"El mercado chino de DRAM ha experimentado una inversión considerable y CXMT se ha convertido en el líder de la industria china de DRAM. Nos complace que se hayan unido a la industria global de DRAM y hayan firmado este acuerdo a largo plazo, asegurando los derechos significativos para su negocio y reconociendo el valor fundamental de la amplia cartera de patentes de memoria de Rambus", dijo Luc Seraphin presidente y director ejecutivo de Rambus.

vía: Digitimes